美國納米工程研究中心(CRNE)的一個研究組與巴塞羅那大學電子工程系的研究人員共同開發出一種更便捷更便宜的晶體硅制備方法。他們的研究成果刊登在最近一期的應用物理學報上。這種很薄的硅片厚度在10微米左右，造價昂貴但是微電子學所期望的，尤其是隨著微芯片三維集成電路發展這是必然的選擇。硅片技術的發展為光伏技術的發展提供了更為廣闊的前景，尤其是柔性電池的發展方面收益頗大。

近些年來，技術的發展帶來了硅片向著更加薄的方向發展。線切割所能帶來的最薄的硅片厚度在150微米左右。利用線切割技術獲得更薄的硅片比較困難，但是在切割過程中損耗的硅材料占到一半左右。該研究小組的方法與一般線切割的區別在于：只要一步就能實現，并且可以生產出效率更好的、速度更快的、而且價格更加便宜的硅片。

該方法基于在材料的表面制造出很多微小的細孔，加工過程輔佐高溫來實現。硅片的分割過程可以精確地控制微小細孔的形狀。精確控制的細孔直徑不僅能夠控制硅片的數量，同時可以精確控制厚度、以及偏差。這種夾心狀的硅片可以通過葉片狀剝落。預期的硅片數量和厚度可以很精確地得到控制。CRNE的科學家可以很容易地將一塊300毫米厚的硅片分割成10片更薄的硅片，每片在5到7毫米之間。

減少工業生產的成本

對于超薄硅片的需求越來越多，無論是MEMES行業還是太陽能行業都有著很大的需求量。傳統硅片的切割已經達到了一個相對瓶頸階段。硅片的厚度從90年代的300毫米到現在的180毫米左右，并且效率在不斷提升而且降低了成本，但是希望獲得更薄的硅片以進一步降低成本的要求越來越困難。這種方式的出現很好地解決了這一需求，盡管到了幾十微米的厚度，但是能夠吸收陽光并進行光電轉換的能力任然保持著。